超晶格相关论文
自组装是组装基元通过自下而上自发形成有序结构的过程,是制备有序材料的有效方法之一。研究表明,当组装基元在受限条件下组装时,......
由于具有广泛而且优良的功能特性,铁电材料受到人们越来越多的关注。利用这些特性可以设计和制造先进的电子、光电和机电功能器件......
氮化镓基高电子迁移率晶体管（High electron mobility transistor,HEMT）具有传统硅基器件难以企及的高击穿电压、高功率密度及低开关......
随着摩尔定律的发展,基于MOS结构的存储器件逐渐逼近物理极限。同时,尺寸微缩和工艺迭代的成本壁垒迫使产业界寻找新的存储方案。......
近零等效介电常数超材料以其近乎等于零的等效介电常数所赋予的电磁特性使其在理论研究和工程应用中均有可观的价值,是电磁超材料......
本篇论文是应用线性自旋波近似和格林函数技术研究多层超晶格磁学系统的磁振子能隙。对于四层铁磁超晶格体系,发现此体系沿Kx方向......
本论文以海森堡模型为基础,采用格林函数方法研究了三层磁超晶格的转变温度及两层亚铁磁性超晶格的磁振子能隙。对于三层磁性超晶......
强关联电子体系一直是凝聚态物理的研究热点.只有很少的一部分强关联模型可以精确解出,所以需要数值方法的辅助来帮助理解各种系统......
AlGaN基紫外激光器(LD)已被广泛应用于生物、化学等领域,但目前还存在着诸如自发极化效应强烈、载流子注入效率低等问题,因此对于......
电子具有电荷和自旋两种属性,分别对应传统电子学和自旋电子学。后者解决了前者因有限尺寸而导致的电流泄露和热耗散问题,是近年来......
高性能、高分辨率、低成本的非制冷焦平面红外探测器是第三代红外探测技术的发展方向。大量理论研究表明,InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材......
近年来,双钙钛矿氧化物由于其易于调控的晶格结构与具有多序参量之间的耦合等性质在多铁磁电功能材料领域受到了广泛的研究与关注......
一般情况下半导体材料可以吸收一个能量大于带隙的光子,使价带中的一个电子跃迁到导带.但是,在某些特殊的情况下,半导体材料也能吸......
近年来,有机无机杂化卤化物钙钛矿因其优异的光电性能引起了人们的广泛关注,已成为开发下一代太阳能电池最有前途的材料。最为突出......
钙钛矿材料是目前凝聚态物理的重点关注对象之一。该体系结构简单,其中常包含多种自由度的竞争、耦合等交叉作用,使得一系列独特的......
多铁性材料在信息存储与读写、无线微波器件、无线传感网络以及自旋电子学器件等领域具有潜在的应用前景。目前,在室温条件下,磁有......
近十年来,多铁性物质由于具有多自由度存储功能而受到广泛关注。多铁材料主要是指某种物质或体系,它同时具有铁电性、铁磁性、铁弹......
具备丰富化学组分和结构相的钙钛矿过渡金属氧化物展现出了众多新奇复杂的物性,一直以来备受物理学家关注。钙钛矿氧化物界面处电......
二维原子晶体由于其丰富的,可调谐的电子,光学,化学,机械,磁性和热学性质,在过去十几年中吸引了科学界和工程界的极大兴趣。而二维......
Monolayer of TMDCs is,as proven theoretically and experimentally,paramount to retain the direct band gap,which restricts......
本文采用直流磁控溅射方法在(111)取向的Si基片和玻璃基片上生长Si/SiO超晶格薄膜,一个超晶格的周期为4～6nm左右,同时还分析了周期......
在交-直电场驱动下的两带模型中,我们研究了超晶格中电子的动力学行为.考虑了马尔可夫失配和温度效应,计算了电流响应和准能谱.我......
本文利用低压MOCVD方法生长得到了无裂纹的2.5nmAlGaN/GaN超晶格,并对其进行了三轴晶X射线衍射(TXRD)、x射线反射(XRR)、高分辨透......
因具有特殊的错开型能带结构,InAs/GaSb II型超晶格材料在红外探测领域具有广泛的应用前景,是目前国际上的研究热点。与传统红外探......
会议
先给出了PbZrTiO(PZT)陶瓷材料在低温下变温XPD分析结果,证明了超晶格的出现与材料的微结构变化有关.测试了该样品在低温下的疲劳......
摘石墨烯作为一种新型单原子层材料,伴随其特殊的电子能带结构,蕴含着丰富的电学、热学、光学、及化学意义1.同时,因为石墨烯具有......
我们利用分子束外延(MBE)技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长出了高质量的[L10-MnGa/Co2MnSi]n超晶格材料.实验证明,L10-MnGa薄膜与C......
我们通过分子束外延生长的方法在不同衬底(碳化硅、蓝宝石、硅、砷化镓等)上成功制备了一系列拓扑绝缘体薄膜，以及拓扑绝缘体-半导......
六方氮化硼有原子级平整的表面，是石墨烯器件良好的衬底。通常这种石墨烯/氮化硼的结构需要转移技术的支持，而这些会带来加工的复杂......
三维花状纳米结构材料相对一维纳米线和二维纳米片而言具有明显的优势，其高的比表面积有利于光子的吸收，其内在的互穿网格结构有利于......
会议
超固态这个新奇的量子态是由一个同时存在非对角长程超流序参量的非平凡的固体序参量来描述的。二维正方超晶格上的硬核玻色子体系......
啁啾双周期光学超晶格通过将啁啾引入双周期结构,可实现多个倒格矢带宽的同时控制。本工作利用该结构实现级联过程的可调谐。在实......
假设超晶格锯齿形沟道对粒子的作用等效为形状相似的周期场作用，在经典力学框架内和小振幅近似下，利用正弦平方势，把粒子运动方程化为......
利用分子束外延技术,基于控制快门开关顺序的生长中断法,在GaSb衬底上生长了10周期和20周期的InAs(10 monolayer, 10 ML)/GaSb(10 ......
在经典力学框架内和小振幅近似下，引入正弦平方势，把粒子的运动方程化为广义Duffing方程。在二次非线性情况下，把Duffing方程化为外尔......
在经典力学框架内和Seeger方程基础上, 引入正弦平方势，把位错运动方程化为具有外力矩的摆方程。导出了弯结的形成能、弯结宽度、密......
测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0～5.0 eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(......
利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2/Tb4O7超晶格样品, 将样品置于弱还原气氛中高温退火后, 观察到薄膜样品在488, 544, 5......
二维薄层半导体材料因表现出优异的光、电、磁以及力学和热学性质而在自旋电子学、柔性电子学、场效应晶体管、储能和催化等多个领......
无机纳米粒子自组装成超晶格具有优异的p 型电导率，等离子体特性及良好的机械性能，这些特殊的性质对新功能材料，生物诊断和光电器......
采用高纯La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)靶和BiFeO3(BFO)靶通过射频磁控溅射方法在SrTiO3(001)单晶衬底上制备(LSMO/BFO)12超晶格,并对其结......
有不同时期长度的 InGaAs/ InGaAsP 超点阵的热传导性用 3m 方法从 100 ～ 320 K 被测量。在这个温度范围，热传导性被发现随温度的增......
用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６），超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构，应变分布以及光学性能进行了研究，结果表......
